2024年11月19日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS）开幕式上，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）正式发布了9项关于SiC MOSFET测试与可靠性标准。这一系列标准的发布，标志着我国在SiC功率器件的测试与评估领域迈出了坚实的一步，将为推动产业高质量发展提供强有力的支撑。阅芯科技作为主要起草单位之一，深度参与了其中两项标准的制定工作。

SiC（碳化硅）以其卓越的物理和化学特性，在电力电子领域展现出巨大潜力。SiC MOSFET作为SiC功率器件的核心，其性能的提升对电力电子系统的发展至关重要。此前，SiC MOSFET的测试与评估一直缺乏统一的标准，这在一定程度上制约了产业的快速发展。

此次发布的新标准覆盖了SiC MOSFET的关键性能指标，包括阈值电压、开关动态特性和可靠性等，为SiC MOSFET功率器件提供了一套科学、合理的测试与评估方法。这将有助于提升产品性能，推动技术创新，进一步加速第三代半导体产业的发展。

作为行业先锋，我们荣幸地参与了以下两项重要标准的制定工作：

● T/CASAS 021—2024 SiC MOSFET阈值电压测试方法

● T/CASAS 033—2024 SiC MOSFET功率器件开关动态测试方法

这些标准的发布，不仅彰显了阅芯科技在第三代半导体测试装备领域的技术实力，也体现了公司对功率半导体未来发展的深度思考和布局。

未来，阅芯科技将继续深耕半导体功率器件检测领域，以专业实力和创新精神，为客户提供更加优质的产品和服务。同时，我们也将积极与产业界各方合作，共同推动第三代半导体产业的标准化、规范化和高质量发展。

 // 阅芯科技功率器件动静态特性智能测试系统 

            AVATAR-D（全自动）

• 双脉冲（开通、关断及反向恢复特性）、多脉冲、SCSOA（SC1/SC2）、RBSOA、UIS，一台设备可实现所有类型的动态特性测试；

• 双脉冲电压电流范围为5kV/20kA，短路电流最大到30kA；

• IGBT/SiC MOSFET/Diode等器件，DBC级和模块级；

• 支持半自动和全自动测试，适合量产和实验室测试；

• 支持各种IGBT和SiC模块封装和拓扑类型产品，如单管、半桥、全桥、三相桥、三电平、IPM等，可支持4组半桥拓扑单元切换测试；

• 16路4线制SMU，16路I/O，128路继电器驱动，快速拓展不同功能；

• 过流保护时间＜3μs；

• 极低的主回路杂散电感，最小＜13nH（不包含器件杂感）；

• 支持模块高/低温测试，温控范围：-55℃~200℃；

• DBC测试：支持抽真空充高压氮气，防氧化、防打火；

• 支持Vth/ICES/开尔文接触测试；

• 八个测量通道，单次测量可获得IGBT及续流二极管的电流电压波形；

• 高UPH。

          AVATAR-S（全自动）

• 击穿电压、漏电流、阈值电压（可兼容JEP183 VT测试方法）、导通压降、导通电阻、栅漏电、Gfs、Vp、Ciss/Coss/Crss/Rg、Kelvin测试等；

• 最大测试电流能力：12kA，最大测试电压能力：10kV；

• 温控范围：-55℃ - 200℃，可同时具备低温和高温测试能力；

• 支持各种IGBT和SiC模组封装和拓扑类型产品，如单管、半桥、全桥、三相桥、三电平、IPM等，最多可支持18个IGBT自动切换测试；

• CP测试：8kV/200A；

• DBC/AMB测试：可支持抽真空充高压氮气，防氧化、防打火；

• 支持SECSGEM通讯协议。

关于阅芯科技

阅芯科技是一家专业从事半导体功率器件检测装备自主研发、制造的高新技术企业，公司产品丰富，涵盖环境寿命类(HTXB、HAST、H3TXB)、参数测试类(动态、静态、绝缘耐压)、功率循环类(PCmin、PCsec)、应用测试类(无功老化、老化)等功率器件检测设备。

公司产品以其高度集成化、可定制化、模块化的优势，服务超过100+知名半导体功率器件设计、制造、封装、第三方检测及高校研究所等单位。公司核心团队汇集了中国科学院、国外知名半导体企业、海外业内专家等一系列优秀人才，拥有知识产权130余项，并通过国家ISO9001质量管理体系认证。荣获国家级专精特新“小巨人”企业、瞪羚企业认定。

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