出厂前电学参数测试
动态测试解决方案AVATAR-D
- 1、基于AVATAR-D-PG平台的SiC MOSFET动态测试解决方案——低感技术（1）基于AVATAR-D-PG量产测试机平台，SSC器件实现了13.7nH的低感，波形质量良好。
低感DIB实测波形
测试条件：VDS=780V、ID1=660A，ID2=1320A，VGS=15V/-4V（2）基于AVATAR-D-PG量产测试机平台，HPD器件实现了22~26nH的低感，波形质量良好。
HPD SiC MOSFET测试：
ID =450A, VDS= 400V, VGS = 15V/-4V, RG(ON) = 2.4Ω, RG(OFF) = 5.1Ω。
寄生电感22~26nH，单元间差异±2nH。
6个单元一致性较好，波形基本重合。
- 2、基于AVATAR-D-NW平台的SiC MOSFET动态测试解决方案——低感技术（1）AVATAR-D-NW主机和治具做了进一步优化，寄生电感进一步降低，波形质量进一步提升。
平均杂散电感约为14nH（不含器件寄生电感）;
桥臂间杂散电感偏差小于1nH；
上下桥杂散电感偏差小于3nH（2）AVATAR-D-NW平台测得的上下桥臂波形差异非常小
- 3、光伏相关三电平拓扑模块动态测试方案
- 4、基于AVATAR-D/S-NW平台的辅助功能：抽真空、充高压氮气、高低温（-55℃~200℃ ）抽真空：可防氧化，用于DBC、AMB、KGD测试。
充高压氮气：可防打火/防氧化，用于高压或SiC相关的DBC、AMB、KGD测试。
高低温：可用于各类器件表征温度特性。
