出厂前电学参数测试
静态测试解决方案AVATAR-S
- SiC MOSFET静态测试解决方案——VT测试技术JEP183给出一SiC MOSFET VT测试方法，采用预偏压消除Vth瞬态漂移分量，VT的波动可以降低到10mV之内。AVATAR-S-I/II/Ultron均已实现。
VT实测波形
- SiC MOSFET静态测试解决方案——Ciss/Crss/Coss/Rg测试技术AVATAR-S上可选配Ciss/Crss/Coss/Rg测试扩展资源，实现量产寄生电容/栅电阻测试。
电容测试扩展板
